euv光刻機原理
euv光刻機原理是接近或接觸式光刻通過無限靠近，複製掩模板上的圖案；直寫式光刻是將光束聚焦為一點，通過運動工件臺或鏡頭掃描實現任意圖形加工。投影式光刻因其高效率、無損傷的優點，是積體電路主流光刻技術。光刻機（MaskA...
duv和euv技術區別
DUV是深紫外線（DeepUltravioletLithography），EUV是極深紫外線（ExtremeUltravioletLithography）。從製程範圍來看，DUV基本上只能做到25nm，Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm，但是卻無法達到10nm以下。只有EUV能滿足10nm以下的...