晶格能的主要影響因素是什麼
晶格能的主要影響因素是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型。
1、離子半徑越小，晶格能越大。例如，隨著滷離子半徑增大，鹵化物的晶格能降低；
2、離子電荷，電荷越高，晶格能越大。
3、離子的電子層構型，離子外層電子越多，越容易發生離子極化，相應晶格能會下降。
晶格能的主要影響因素是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型。
1、離子半徑越小，晶格能越大。例如，隨著滷離子半徑增大，鹵化物的晶格能降低；
2、離子電荷，電荷越高，晶格能越大。
3、離子的電子層構型，離子外層電子越多，越容易發生離子極化，相應晶格能會下降。
